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  • 德國ICX Radiation HPGe高純鍺實(shí)驗室能譜(pǔ)分析係統

德國(guó)ICX Radiation HPGe高(gāo)純鍺實驗室能(néng)譜(pǔ)分析係統

德(dé)國(guó)ICX Radiation HPGe高(gāo)純鍺實驗(yàn)室能譜(pǔ)分析係(xì)統包括HPGe檢(jiǎn)測器(qì),杜瓦(wǎ)瓶(píng),鉛(qiān)室,刻度源(yuán),個(gè)人計算(suàn)機(jī),數字化多道(dào)分析(xī)器(qì)和係(xì)統軟(ruǎn)件(jiàn),應用於(yú)實驗(yàn)室(shì),院校(xiào),工業,醫(yī)學,核(hé)電站(zhàn)及(jí)相(xiāng)關(guān)研究(jiū)部門(mén)的多(duō)種不同用(yòng)途檢測(cè)分(fēn)析。

關(guān)鍵(jiàn)字:Radiation HPGe,adiation HPGe高純(chún)鍺實(shí)驗(yàn)室能譜分(fēn)析係統,德國ICX高純鍺實驗(yàn)室能(néng)譜分(fēn)析(xī)係(xì)統

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產(chǎn)品詳情

德國(guó)ICX Radiation HPGe高(gāo)純(chún)鍺實驗(yàn)室(shì)能(néng)譜(pǔ)分析(xī)係(xì)統(tǒng)包括HPGe檢(jiǎn)測器(qì),杜(dù)瓦(wǎ)瓶,鉛室(shì),刻度源(yuán),個(gè)人計算機,數字(zì)化(huà)多道分析器和係統(tǒng)軟件,應用(yòng)於實驗(yàn)室(shì),院校,工業(yè),醫學(xué),核電(diàn)站及(jí)相(xiāng)關(guān)研究(jiū)部門(mén)的(dí)多種不(bù)同用(yòng)途檢測分析(xī)。


德國ICX Radiation HPGe產(chǎn)品(pǐn)簡(jiǎn)介:

高(gāo)純鍺HPGe 實(shí)驗(yàn)室(shì)能譜(pǔ)分(fēn)析(xī)係統(tǒng)包括HPGe檢測器(qì),杜瓦(wǎ)瓶(píng),鉛室,刻度源(yuán),個人計算機(jī),數字化多(duō)道(dào)分析(xī)器和係(xì)統(tǒng)軟件

應用於實(shí)驗室(shì),院(yuàn)校,工業,醫學,核(hé)電站及相(xiāng)關(guān)研究(jiū)部門(mén)的多(duō)種不(bù)同用途(tú)檢測(cè)分(fēn)析(xī)


德國ICX Radiation HPGe高(gāo)純鍺(zhě)實驗室能(néng)譜分(fēn)析係統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn):

離子注入HPGe同(tóng)軸檢測(cè)器(P型(xíng))

檢測(cè)效率(shuài)30 %

能(néng)量範圍(wéi)從(cóng)40 keV到(dào)10 MeV

末(mò)端尺(chǐ)寸(cùn)為78 mm

輸(shū)入(rù)窗(chuāng)為(wéi)0.7 mm,鋁製

高計數(shù)率工(gōng)作,有溫(wēn)度LED指(zhǐ)標器

峰(fēng)形:FWTM/FWHM: 1.90 – FWFM/FWHM: 2.65

FWHM分(fēn)辨(biàn)率(shuài):≤ 1.90 keV at 1.33 MeV,≤ 850 eV at 122 keV

TTL信(xìn)號(hào)切斷高壓(yā):檢(jiǎn)測器升溫:0 V;檢測器(qì)冷卻:+ 5 V

在1.33 MeV處峰(fēng)康(kāng)比為58:1

前(qián)置(zhì)放(fàng)大器上(shàng)有(yǒu)3個發(fā)光二很管,綠色表示(shì)探(tàn)測器(qì) OK,紅(hóng)色1表(biǎo)示(shì)高計數(shù)率(shuài),紅(hóng)色2表(biǎo)示(shì)探(tàn)測器升(shēng)溫(wēn)

一個(gè)電(diàn)阻反饋(kuì)前(qián)置放(fàng)大器,型號(hào)RFB 51C,帶有高壓(yā)自動(dòng)關(guān)閉綫路(lù)

注:可(kě)根(gēn)據用(yòng)戶(hù)要求提供不同能量範圍及檢(jiǎn)測效(xiào)率,分辨率(shuài)的型號探頭(tóu)


德(dé)國ICX Radiation HPGe高純(chún)鍺實(shí)驗(yàn)室能(néng)譜(pǔ)分析係(xì)統能譜係統

網(wǎng)絡功能(néng)

多輸入(rù)

輸(shū)入信號示波器顯示(shì)模式

反卷積(jī)窗(chuāng)

前(qián)置放大器(qì)電源(可選項)

高壓(yā)電源(可選項)

多參數(shù)(i.p.)(可(kě)選項(xiàng))

脈衝(chōng)波形(xíng)分析(xī)(i.p.)(可(kě)選項)

列表(biǎo)模(mó)式(shì)(i.p.)(可選項)

標(biāo)準(zhǔn)檢(jiǎn)測器

分離檢(jiǎn)測(cè)器

X-射綫(xiàn)檢測器

HPGe,SiLi,CZT,閃爍(shuò)體檢(jiǎn)測器(qì)


德國ICX Radiation HPGe高(gāo)純鍺實驗室能(néng)譜分(fēn)析係統結(jié)構配(pèi)置(zhì)

對於1個探測器(qì),1條完(wán)整(zhěng)的(dí)信號鏈需(xū)要1個dMCA母(mǔ)板(bǎn)和1 個(gè)sADSP子板

對於64個探(tàn)測(cè)器(qì),64條信號(hào)鏈需要16個(gè)dMCA母板和(hé)64個 sADSP子板

其(qí)中(zhōng)dMCA 8 母板可以(yǐ)帶(dài)8 個(gè)外置ADC 或(huò)4個 sADSP 子板,dMCA 4母板(bǎn)可以(yǐ)帶4 個外置ADC 或(huò)2個(gè) sADSP 子(zǐ)板

轉換(huàn)增(zēng)益,放大(dà)器(qì)增益,波形參(cān)數(shù)和脈衝(chōng)*製電平通(tōng)過軟(ruǎn)件(jiàn)調整各(gè)輸(shū)入通(tōng)道。夾(jiā)層板總高度 5mm

多(duō)個(gè)dMCA 板工(gōng)作對相鄰(lín)的插槽(cáo)不(bù)會影響(xiǎng)

dMCA板(bǎn)用一(yī)個(gè)特殊(shū)的DSP 芯片進行(háng)PC通(tōng)訊(xùn),數據(jù)通過PCI和(hé)EISA綫(xiàn)路傳輸

芯(xīn)片有(yǒu)兩個主(zhǔ)要(yào)任(rèn)務,形成能(néng)譜數據圖並(bìng)將其傳(chuán)送到PC存(cún)儲(chǔ)器

DSP磁(cí)芯處(chǔ)理(lǐ)單元(yuán)管(guǎn)理(lǐ)PC的通訊和(hé)存儲器的(dí)存儲增量

數據(jù)通過(guò)6個(gè)獨(dú)立(lì)DSP的(dí)直接(jiē)存儲(chǔ)器平行存取通道之(zhī)一傳輸


德國ICX Radiation HPGe高純(chún)鍺(zhě)實驗室能(néng)譜分(fēn)析係統物理(lǐ)特性(xìng)

單/多(duō)輸入(rù)MCA,單/多參(cān)數(shù)MCA

標(biāo)準(zhǔn)PCI接口(kǒu),EISA接口(可選項(xiàng))

dMCA4,160×107mm,半長卡

dMCA8,305㎜×107㎜,全長(cháng)卡(qiǎ)

LEMO連(lián)接器(qì)

56301 DSP

dMCA4電(diàn)源,600mA max@ 5V

dMCA8電源(yuán),800mA max@ 5V

2個(或(huò)4 個(gè))子(zǐ)板或exADC夾層連接(jiē)器(qì)


德國(guó)ICX Radiation HPGe高(gāo)純(chún)鍺實(shí)驗(yàn)室(shì)能譜(pǔ)分析係統物理(lǐ)特性(xìng)

正(zhèng)/負很(hěn)性

粗(cū)增(zēng)益10-200,軟件可調(tiáo)

細增(zēng)益(yì)0.5000-2.000,軟件(jiàn)可調

微分級(jí)10μs

前(qián)置(zhì)放大(dà)器衰減從(cóng)10μs到無(wú)限(xiàn),軟件可調(tiáo)

采樣率:20MHz

16位采(cǎi)樣(yàng)ADC

DSP’s為(wéi)2

峰(fēng)特(tè)性480Mops

波形(xíng)為梯形

很小微分(fēn)0.8μs,軟件(jiàn)可調(tiáo)

很(hěn)大(dà)微分20μs,軟(ruǎn)件(jiàn)可調(tiáo)

很小平頂0.8μs,軟(ruǎn)件(jiàn)可調

很大平(píng)頂20μs,軟件可調

輸入(rù)阻抗1kΩ,軟件可(kě)調(tiáo)

輸入(rù)電(diàn)壓範圍±10V

增益漂(piāo)移小於20ppm/℃

零漂移小(xiǎo)於3ppm/℃

積(jī)分非綫性(xìng)在譜圖(tú)的(dí)99.9%以內,小(xiǎo)於0.025%